曝光的形式大致上有兩種，所謂的Aligner，對準式與Stepper，步進式。

以正型光阻 (Positive tone) 為例，曝光區域是可以被顯影掉，非曝光區域則是做為Hard mask用。

根據光阻的不同，需要不同的光源 (Light source), 曝光能量 (Exposure dose)。

以DNQ-Novalak型光阻為例，在曝光過程中，感光劑 DNQ，會進行光化學反應，形成所謂的光酸,Photo-acid。

正型光阻下，顯影就是將曝光區域除去；而負型光阻則是去除未曝光區域。

曝光區與非曝光區在顯影過程中，就是一個溶解選擇比的問題。

曝光區域中因為光化學反應產生了所謂的光酸，在顯影過程中，就會有酸鹼中和的反應，產生了鹽類，之後就容易被DI所洗掉；故顯影液皆為鹼性水溶液。

假設顯影液對於光阻的溶解率為S；在曝光區域，S會變大；而非曝光區域S則變小，原因在於DNQ與Novolak在鹼性環境下會有AZO coupling。

顯影液的選擇對於光阻的圖形，製程上的便利性與可靠性都有很大的關係。

顯影液包含了MIF與MIC兩大類。MIF，Metal Ion Free，即TMAH，提供客戶標準2.38%，0.261N的TMAH，同時間也提供25%TMAH做稀釋使用，添加劑部分則根據製程的考量，如降低對金屬的腐蝕與減低表面張力等。

SBD－700系列為MIC，Metal Ion Containing developer。包含鉀鹽與鈉鹽為基礎的不同水溶液，可以根據客戶的需求做配置。